GaN-based VCSELs using conducting AlInN/GaN DBRs with graded interfaces
GaN-based VCSELs using conducting AlInN/GaN DBRs with graded interfaces
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使用具有分级界面的导电 AlInN/GaN DBR 的基于 GaN 的 VCSEL
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Isamu Akasaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yusuke Ueshima;Wataru Muranaga;Ryosuke Iida;Sho Iwayama;Tetsuya Takeuchi;Satoshi Kamiyama;Motoaki Iwaya;Isamu Akasaki
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影响因子：
18.1
作者：
T. Takeuchi;S. Kamiyama;M. Iwaya;I. Akasaki
通讯作者：
T. Takeuchi;S. Kamiyama;M. Iwaya;I. Akasaki
影响因子：
2.3
作者：
Izumi, Shouichiro;Fuutagawa, Noriyuki;Narui, Hironobu
通讯作者：
Narui, Hironobu
DOI：
10.1557/opl.2015.402
发表时间：
2015
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
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作者：
Yugo Kozuka;Kazuki Ikeyama;Toshiki Yasuda;T. Takeuchi;S. Kamiyama;M. Iwaya;I. Akasaki
通讯作者：
Yugo Kozuka;Kazuki Ikeyama;Toshiki Yasuda;T. Takeuchi;S. Kamiyama;M. Iwaya;I. Akasaki
具有 AlInN/GaN DBR 的 GaInN VCSEL
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Takeuchi;S. Kamiyama;M. Iwaya;and I. Akasaki
通讯作者：
and I. Akasaki
具有 MOVPE 生长的 AlInN/GaN DBR 的 GaN 垂直腔表面发射激光器
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Takeuchi;S. Kamiyama;M. Iwaya;and I. Akasaki
通讯作者：
and I. Akasaki