Ultra-sensitive strain sensors based on piezoresistive nanographene films
Ultra-sensitive strain sensors based on piezoresistive nanographene films
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基于压阻纳米石墨烯薄膜的超灵敏应变传感器
DOI：
10.1063/1.4742331
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发表时间：
2012-08
影响因子：
4
通讯作者：
Guangyu Zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Guibai Xie;Duoming Wang;Dongxia Shi;Guangyu Zhang
石墨烯在应变传感器应用方面显示出前景，但是由于其对结构变形的弱导电性响应，完美石墨烯的压阻灵敏度低。在本文中，我们使用纳米石墨烯薄膜的超灵敏应变传感器。系统地研究了不同厚度和电导率的纳米石墨烯薄膜的压阻灵敏度，发现其与压阻灵敏度近似成反比关系，并获得了迄今为止石墨烯基应变传感器中最高的超过300的应变因子。电荷隧道模型被用来解释纳米石墨烯薄膜的压阻特性，这表明我们的研究结果提供了一个不同的路线超灵敏应变传感器。
Graphene shows promise on strain sensor applications, but the piezoresistive sensitivity of perfect graphene is low due to its weak electrical conductivity response upon structural deformation. In this paper, we used nanographene films for ultra-sensitive strain sensors. The piezoresistive sensitivity of nanographene films with different thicknesses and conductivities was systematically investigated and a nearly inverse proportional correlation was found. A gauge factor over 300, the highest so far for graphene-based strain sensors, was achieved. A charge tunneling model was used to explain the piezoresistive characteristics of nanographene films, which indicates our results provide a different rout toward ultra-sensitive strain sensors.
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DOI：
10.1088/0022-3727/29/9/035
发表时间：
1996-09
期刊：
Journal of Physics D
影响因子：
--
作者：
J. Millett;N. Bourne;Z. Rosenberg
通讯作者：
J. Millett;N. Bourne;Z. Rosenberg
影响因子：
9.9
作者：
Lianchang Zhang;Zhiwen Shi;Yi Wang;Rong Yang;D. Shi;Guangyu Zhang
通讯作者：
Lianchang Zhang;Zhiwen Shi;Yi Wang;Rong Yang;D. Shi;Guangyu Zhang
影响因子：
4
作者：
Grow, RJ;Wang, Q;Dai, HJ
通讯作者：
Dai, HJ
影响因子：
56.9
作者：
Bunch, J. Scott;van der Zande, Arend M.;McEuen, Paul L.
通讯作者：
McEuen, Paul L.
影响因子：
41.2
作者：
Geim, A. K.;Novoselov, K. S.
通讯作者：
Novoselov, K. S.