A High-Accuracy AlGaN/GaN Reverse Blocking CRD (RB-CRD) with Hybrid Trench Cathode
A High-Accuracy AlGaN/GaN Reverse Blocking CRD (RB-CRD) with Hybrid Trench Cathode
复制标题
具有混合沟槽阴极的高精度 AlGaN/GaN 反向阻断 CRD (RB-CRD)
DOI：
10.1186/s11671-019-2860-y
复制
发表时间：
2019-01
影响因子：
--
通讯作者：
Zhang Bo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Anbang;Zhou Qi;Yang Chao;Shi Yuanyuan;Chen Wanjun;Li Zhaoji;Zhang Bo
提出了一种具有沟槽肖特基阳极和混合沟槽阴极的 AlGaN/GaN 横向反向阻断电流调节二极管（RB-CRD），并在硅衬底上进行了实验演示。阳极集成肖特基势垒二极管（SBD），导通电压为0.7V，反向击穿电压为260V。混合沟槽阴极充当CRD，与阳极SBD串联。 RB-CRD 可实现 1.3V 的拐点电压和超过 200V 的正向工作电压。 RB-CRD能够在25至300°C的宽温度范围内输出出色的稳定电流。此外，正向调节电流表现出小于- 0.152%/oC的小负温度系数。
An AlGaN/GaN lateral reverse blocking current regulating diode (RB-CRD) with trench Schottky anode and hybrid trench cathode has been proposed and experimentally demonstrated on silicon substrate. The Schottky barrier diode (SBD) integrated in the anode exhibits a turn-on voltage of 0.7 V and a reverse breakdown voltage of 260 V. The hybrid trench cathode acts as a CRD, which is in series connection with the anode SBD. A knee voltage of 1.3 V and a forward operation voltage beyond 200 V can be achieved for the RB-CRD. The RB-CRD is capable of outputting an excellent steady current in a wide temperature range from 25 to 300 °C. In addition, the forward regulating current exhibits small negative temperature coefficients less than − 0.152%/oC.
登录
查看更多内容
影响因子：
20.6
作者：
Ikeda, Nariaki;Niiyama, Yuki;Yoshida, Seikoh
通讯作者：
Yoshida, Seikoh
影响因子：
4.9
作者：
Im, Ki-Sik;Ha, Jong-Bong;Lee, Jung-Hee
通讯作者：
Lee, Jung-Hee
影响因子：
9.2
作者：
Shengbo Zhang
通讯作者：
Shengbo Zhang
DOI：
--
发表时间：
2015-03
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
黄森
通讯作者：
黄森
影响因子：
4
作者：
S. L. Selvaraj;Tsuneo Ito;Y. Terada;T. Egawa
通讯作者：
S. L. Selvaraj;Tsuneo Ito;Y. Terada;T. Egawa