Distributed-Model-Based Approach for Electrical and Thermal Analysis of High-Frequency GaN HEMTs
Distributed-Model-Based Approach for Electrical and Thermal Analysis of High-Frequency GaN HEMTs
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基于分布式模型的高频 GaN HEMT 电学和热学分析方法
DOI:
10.1109/access.2020.3017470
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发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
3.9
通讯作者:
El-Ghazaly, Samir M.
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
Avval, Amirreza Ghadimi;El-Ghazaly, Samir M.
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DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS)
影响因子:
--
作者:
Jungwan Cho;Yiyang Li;D. Altman;W. Hoke;M. Asheghi;K. Goodson
通讯作者:
K. Goodson
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
K. Afrooz
通讯作者:
K. Afrooz
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
2016 21st International Conference on Microwave, Radar and Wireless Communications (MIKON)
影响因子:
--
作者:
R. Trew
通讯作者:
R. Trew
DOI:
--
发表时间:
1987
期刊:
影响因子:
--
作者:
W. Heinrich
通讯作者:
W. Heinrich
DOI:
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发表时间:
2020
期刊:
IEEE Radio and Wireless Symposium
影响因子:
--
作者:
Amirreza Ghadimi Avval;S. El
通讯作者:
S. El