Silicon carbide based instrumentation amplifiers for extreme applications
Silicon carbide based instrumentation amplifiers for extreme applications
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适用于极端应用的碳化硅仪表放大器
DOI：
10.1109/icsens.2015.7370504
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Chan H
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chan H
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4H碳化硅的低频噪声
影响因子：
3.2
作者：
M. Levinshtein;S. Rumyantsev;J. Palmour;D. Slater
通讯作者：
D. Slater
混合 6H-SiC 温度传感器，工作温度范围为 25/spl deg/C 至 500/spl deg/C
DOI：
10.1109/95.536843
发表时间：
1996
期刊：
IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology: Part A
影响因子：
--
作者：
J. Casady;W. Dillard;R. Johnson;U. Rao
通讯作者：
U. Rao
功率器件用宽带隙半导体SiC研究进展
DOI：
10.1109/ispsd.2000.856762
发表时间：
2000
期刊：
12th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. Proceedings (Cat. No.00CH37094)
影响因子：
--
作者：
H. Matsunami
通讯作者：
H. Matsunami
DOI：
10.1136/ebmh.11.4.102
发表时间：
2008-10
期刊：
Evidence Based Mental Health
影响因子：
--
作者：
P. Cochat;L. Vaucoret;J. Sarles
通讯作者：
P. Cochat;L. Vaucoret;J. Sarles
宽禁带半导体中的低频和 1/f 噪声：碳化硅和氮化镓
DOI：
10.1049/ip-cds:20020328
发表时间：
2002
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
M. Levinshtein;S. Rumyantsev;M. Shur;R. Gaska;M. Khan
通讯作者：
M. Khan