Selective deposition of a crystalline Si film by a chemical sputtering process in a high pressure hydrogen plasma

Selective deposition of a crystalline Si film by a chemical sputtering process in a high pressure hydrogen plasma
复制标题

在高压氢等离子体中通过化学溅射工艺选择性沉积晶体硅薄膜

DOI:
10.1063/1.4926849
复制
发表时间:
2015
影响因子:
3.2
通讯作者:
and Kiyoshi Yasutake
and Kiyoshi Yasutake
中科院分区:
物理与天体物理3区
文献类型:
--
作者:
Hiromasa Ohmi;Hiroaki Kakiuchi;and Kiyoshi Yasutake

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

使用时间调制硅烷流在硅 PECVD 中进行选择性沉积和键合应变松弛
DOI: 10.1143/jjap.31.1943
发表时间: 1992
影响因子: 1.5
作者:
G. Parsons;John J. Boland John J. Boland;James C. Tsang James C. Tsang
通讯作者: James C. Tsang James C. Tsang
太阳能电池微晶硅沉积中氢自由基与薄膜前驱体的临界通量比
DOI: 10.1063/1.4764065
发表时间: 2012
影响因子: 4
作者:
Y. Abe;A. Fukushima;K. Takeda;H. Kondo;K. Ishikawa;M. Sekine;M. Hori
通讯作者: M. Hori
DOI: 10.1016/0921-5107(89)90279-1
发表时间: 1989
期刊:
影响因子: --
作者:
J. Regolini;D. Bensahel;J. Mercier
通讯作者: J. Mercier
SiHx 前驱体与氢覆盖的 Si 表面的相互作用:冲击动力学和吸附位点
DOI: 10.1016/j.susc.2007.04.086
发表时间: 2007
期刊: Surface Science
影响因子: 1.9
作者:
S. Cereda;F. Montalenti;L. Miglio
通讯作者: L. Miglio
等离子体沉积硅薄膜表面上自由基生长前体之间的相互作用。
DOI: 10.1063/1.2672799
发表时间: 2007
影响因子: 4.4
作者:
T. Bakos;M. S. Valipa;D. Maroudas
通讯作者: D. Maroudas