Near-Infrared Scattering Topography and Microscopy Combination Method for Bonded Silicon-on-Insulator Wafers with Patterned Buried Oxide
Near-Infrared Scattering Topography and Microscopy Combination Method for Bonded Silicon-on-Insulator Wafers with Patterned Buried Oxide
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近红外散射形貌和显微镜结合方法研究具有图案化埋氧化物的绝缘体上键合硅晶圆
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Junichi Uchikoshi;et al.
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使用近红外显微镜控制光源的相干长度来表征绝缘体上键合硅晶圆中的空隙
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics 46(4B)
影响因子：
--
作者：
Noritaka AJARI;et al.
通讯作者：
et al.
使用无损体微缺陷分析仪观察绝缘体上半导体 (SOI) 晶圆中的缺陷
影响因子：
1.8
作者：
H. Wada;K. Moriya
通讯作者：
K. Moriya
SOI晶圆表面缺陷及其对器件特性的影响
DOI：
10.1002/ecjb.1125
发表时间：
2003
期刊：
Electronics and Communications in Japan Part Ii-electronics
影响因子：
--
作者：
H. Naruoka;N. Hattori;T. Iwamatsu;T. Ipposhi;M. Sudo;T. Nakai;H. Yamamoto;Y. Mashiko
通讯作者：
Y. Mashiko
影响因子：
1.8
作者：
K. Moriya;H. Wada;K. Hirai
通讯作者：
K. Hirai