Origin of Compressive Residual Stress in Alkoxide Derived PbTiO_3 Thin Film on Si Wafer
Origin of Compressive Residual Stress in Alkoxide Derived PbTiO_3 Thin Film on Si Wafer
复制标题
硅片上醇盐衍生的 PbTiO_3 薄膜残余压应力的来源
DOI:
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发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
M. Kosec
中科院分区:
文献类型:
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作者:
T. Ohno;B. Malic;H. Fukazawa;N. Wakiya;H. Suzuki;T. Matsuda;M. Kosec
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DOI:
10.1063/1.368560
发表时间:
1998
期刊:
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影响因子:
--
作者:
N. Floquet;J. Hector;P. Gaucher
通讯作者:
P. Gaucher
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
Jpn.J.Appl.Phys 46[10B]
影响因子:
--
作者:
A.MATSUTANI;G.PEZZOTTI
通讯作者:
G.PEZZOTTI
影响因子:
1.5
作者:
T. Ohno;Masahumi Kunieda;Hisao Suzuki;T. Hayashi
通讯作者:
T. Hayashi
DOI:
10.1016/s0924-4247(99)00019-9
发表时间:
1999
期刊:
影响因子:
--
作者:
W. Fang;Hsin C Tsai;Chun
通讯作者:
Chun
影响因子:
1.5
作者:
N. Menou;Hiroki Kuwabara;H. Funakubo
通讯作者:
H. Funakubo