Remote interfacial dipole scattering and electron mobility degradation in Ge field-effect transistors with GeOx/Al2O3 gate dielectrics
Remote interfacial dipole scattering and electron mobility degradation in Ge field-effect transistors with GeOx/Al2O3 gate dielectrics
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具有 GeOx/Al2O3 栅极电介质的 Ge 场效应晶体管中的远程界面偶极子散射和电子迁移率下降
DOI：
10.1088/0022-3727/49/25/255104
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发表时间：
2016-05
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Zhang Jing
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Xiaolei;Xiang Jinjuan;Wang Shengkai;Wang Wenwu;Zhao Chao;Ye Tianchun;Xiong Yuhua;Zhang Jing
实验研究了GeOx/Al_2O_3栅叠层Ge基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中电子迁移率退化的远程库仑散射（RCS）效应。发现随着GeOx的增大，迁移率增大
Remote Coulomb scattering (RCS) on electron mobility degradation is investigated experimentally in Ge-based metal–oxide–semiconductor field-effect-transistors (MOSFETs) with GeOx/Al2O3 gate stacks. It is found that the mobility increases with greater GeOx
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影响因子：
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作者：
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作者：
D. Casterman;M. M. Souza-M.
通讯作者：
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作者：
Y. Zheng;A. Agrawal;G. Rayner;M. Barth;K. Ahmed;S. Datta;R. Engel-Herbert
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Y. Zheng;A. Agrawal;G. Rayner;M. Barth;K. Ahmed;S. Datta;R. Engel-Herbert
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Ryohei Asahara;I. Hideshima;H. Oka;Y. Minoura;Shingo Ogawa;A. Yoshigoe;Y. Teraoka;T. Hosoi;T. Shimura;Heiji Watanabe
通讯作者：
Ryohei Asahara;I. Hideshima;H. Oka;Y. Minoura;Shingo Ogawa;A. Yoshigoe;Y. Teraoka;T. Hosoi;T. Shimura;Heiji Watanabe
影响因子：
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作者：
N. Taoka;W. Mizubayashi;Y. Morita;S. Migita;H. Ota;S. Takagi
通讯作者：
N. Taoka;W. Mizubayashi;Y. Morita;S. Migita;H. Ota;S. Takagi