S.Kasai: "Electron Beam Induced Current Characterization of Novel GaAs Quantum Nanostructures Based on Potential Modulation of Two-Dimensional Electron Gas by Schottky In-Plane Gates"Jpn.J.Appl.Phys.. 35. 6652 (1996)
S.Kasai: "Electron Beam Induced Current Characterization of Novel GaAs Quantum Nanostructures Based on Potential Modulation of Two-Dimensional Electron Gas by Schottky In-Plane Gates"Jpn.J.Appl.Phys.. 35. 6652 (1996)
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S.Kasai：“基于肖特基面内栅极对二维电子气的电位调制的新型 GaAs 量子纳米结构的电子束感应电流表征”Jpn.J.Appl.Phys.. 35. 6652 (1996)
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具有平面栅极的新型线晶体管结构，使用 2DEG 直接肖特基接触
影响因子：
1.5
作者：
H. Okada;K. Jinushi;Nan;T. Hashizume;H. Hasegawa
通讯作者：
H. Hasegawa
原位选择性电化学过程形成的量子阱直接肖特基接触的耗尽特性
DOI：
10.1143/jjap.34.1149
发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Hashizume;H. Okada;N. Wu;H. Hasegawa
通讯作者：
H. Hasegawa
DOI：
10.1143/jjap.32.502
发表时间：
1993-01-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子：
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作者：
KOYANAGI, K;KASAI, S;HASEGAWA, H
通讯作者：
HASEGAWA, H
原位电化学工艺实现肖特基面内栅极Al0.3Ga0.7As/GaAs量子线晶体管的输运特性
DOI：
10.1143/jjap.34.6971
发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Okada;T. Hashizume;H. Hasegawa
通讯作者：
H. Hasegawa
利用掺杂硅界面控制层控制肖特基势垒高度的新型横向表面超晶格结构的制造和表征
DOI：
10.1143/jjap.35.1340
发表时间：
1996
期刊：
影响因子：
--
作者：
Seiya Kasai Seiya Kasai;Hideki Hasegawa Hideki Hasegawa
通讯作者：
Hideki Hasegawa Hideki Hasegawa