SiC (0001), (11-20), (1-100) MOSFETにおけるHall移動度のボディ層濃度依存性
SiC (0001), (11-20), (1-100) MOSFETにおけるHall移動度のボディ層濃度依存性
复制标题
SiC (0001)、(11-20)、(1-100) MOSFET 中霍尔迁移率的体层浓度依赖性
DOI：
--
复制
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
木本 恒暢
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
伊藤 滉二;田中 一;堀田 昌宏;須田 淳;木本 恒暢
登录
查看更多内容
H 2 含量对超薄原位蒸汽生成(ISSG) SiO 2 可靠性的影响
DOI：
10.1109/55.863100
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Luo;M. Laughery;G. Brown;H. Alshareef;V. Watt;A. Karamcheti;M. Jackson;H. Huff
通讯作者：
H. Huff
高空间分辨率阴极发光光谱表征二氧化硅薄膜
影响因子：
3.2
作者：
M. Yoshikawa;K. Matsuda;Y. Yamaguchi;T. Matsunobe;Y. Nagasawa;H. Fujino;T. Yamane
通讯作者：
T. Yamane
阴极发光光谱法表征 GAAS 金属半导体场效应晶体管中的载流子浓度和应力
影响因子：
3.2
作者：
M. Yoshikawa;K. Iwagami;H. Ishida
通讯作者：
H. Ishida
DOI：
10.1143/jjap.44.1213
发表时间：
2005-03-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Kimoto, T;Kanzaki, Y;Matsunami, H
通讯作者：
Matsunami, H
N2O 环境中氧化导致高掺杂 4H-SiC (11-20) 面上 MOSFET 的高沟道迁移率
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.457-460.1429
发表时间：
2004
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
Y. Kanzaki;H. Kinbara;Hajime Kosugi;J. Suda;T. Kimoto;H. Matsunami
通讯作者：
H. Matsunami