ZnO deposited on Si (111) with Al2O3 buffer layer by atomic layer deposition
ZnO deposited on Si (111) with Al2O3 buffer layer by atomic layer deposition
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通过原子层沉积在带有 Al2O3 缓冲层的 Si（111）上沉积 ZnO
DOI：
10.1016/j.vacuum.2014.04.019
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发表时间：
2014-09
期刊：
影响因子：
4
通讯作者：
Liu, Chang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gan, Xue-Wei;Wang, Ti;Wu, Hao;Liu, Chang
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影响因子：
2.1
作者：
Lim, Jongmin;Lee, Chongmu
通讯作者：
Lee, Chongmu
影响因子：
4
作者：
Yabuta, Hisato;Sano, Masafumi;Hosono, Hideo
通讯作者：
Hosono, Hideo
影响因子：
1.9
作者：
Miin-Jang Chen;J. Yang;M. Shiojiri
通讯作者：
Miin-Jang Chen;J. Yang;M. Shiojiri
DOI：
10.1088/0953-8984/19/34/346222
发表时间：
2007-07
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
L. Zhang;F. Liu;C. Liu
通讯作者：
L. Zhang;F. Liu;C. Liu
具有 Al2O3 中间层的 c 面 GaN 上 m 面 ZnO 的非极性发光二极管
影响因子：
4
作者：
Wang, T.;Wu, H.;Liu, C.
通讯作者：
Liu, C.