Evaluation and mitigation of reactive ion etching-induced damage in AlGaN/GaN MOS structures fabricated by low-power inductively coupled plasma
Evaluation and mitigation of reactive ion etching-induced damage in AlGaN/GaN MOS structures fabricated by low-power inductively coupled plasma
复制标题
低功率电感耦合等离子体制造的 AlGaN/GaN MOS 结构中反应离子蚀刻引起的损伤的评估和减轻
DOI：
10.35848/1347-4065/ab8f0e
复制
发表时间：
2020
影响因子：
1.5
通讯作者：
H. Watanabe
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Nozaki;D. Terashima;A. Yoshigoe;T. Hosoi;T. Shimura;H. Watanabe
登录
查看更多内容
AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管的欧姆接触特性对 AlGaN 层厚度的依赖性
影响因子：
1.5
作者：
Y. Takei;K. Tsutsui;W. Saito;K. Kakushima;H. Wakabayashi;H. Iwai
通讯作者：
H. Iwai
Cl2气体中添加BCl3对GaN高温刻蚀特性的影响
影响因子：
1.4
作者：
A. Tanide;Shohei Nakamura;Akira Horikoshi;S. Takatsuji;M. Kohno;Kazuo Kinose;S. Nadahara;K. Ishikawa;M. Sekine;M. Hori
通讯作者：
M. Hori
影响因子：
6.7
作者：
Hashizume, T;Hasegawa, H
通讯作者：
Hasegawa, H
影响因子：
6.7
作者：
Teraoka, Y;Yoshigoe, A
通讯作者：
Yoshigoe, A
AlGaN 表面感应耦合等离子体蚀刻引起的 Al2O3/AlGaN/GaN 结构中的界面陷阱态
DOI：
10.1002/pssa.201431652
发表时间：
2014
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
Zenji Yatabe;J. Asubar;Taketomo Sato;T. Hashizume
通讯作者：
T. Hashizume