Modification of SiO_2/4H-SiC Interface Properties by High-Pressure H_2O Vapor Annealing
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高压H_2O蒸汽退火改性SiO_2/4H-SiC界面性能
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D.Takeda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Hayashibe;N.Suzuki;N.Nakata;A.Hattori;K.Konishi;M.Hashizume;奥井登志子;井上昌睦 他;K.Koyanagi et al.;M.Inoue et al.;S.Koyanagi et al.;Hiroyuki Naoi;H.Yano;H.Yano;D.Takeda
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