Nickel Interaction with Vacancy‐Type Radiation Defects in Silicon
Nickel Interaction with Vacancy‐Type Radiation Defects in Silicon
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镍与硅中空位型辐射缺陷的相互作用
DOI：
10.1002/pssr.201800651
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. Weber
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
N. Yarykin;S. Lastovskii;J. Weber
用室温镍扩散修饰了高能电子辐照硅的深能级谱。比较了两种类型的Si样品：贫氧浮区（FZ）和富氧Czochralski生长（Cz）晶体，其中主要的空位型辐射缺陷分别是空位-磷（VP）和空位-氧（VO）对。两种类型的Ni扩散样品表现出相似的深能级光谱：vp和vo中心的DLTS特征在≈180 K时完全转换为一个新的峰。详细的拉普拉斯- DLTS研究表明，在FZ‐和Cz‐Si中形成的配合物是不同的：镍相关中心的电子发射率表现出不相等的活化能（NiVP在FZ‐Si中为0.35 eV， NiVO在Cz‐Si中为0.37 eV），并且对电场的定量响应不同。讨论了NiVP和NiVO配合物相似性的来源。
The deep‐level spectrum of silicon irradiated with high‐energy electrons is modified by room‐temperature nickel in‐diffusion. Two types of Si samples are compared: The oxygen‐lean floating‐zone (FZ) and the oxygen‐rich Czochralski‐grown (Cz) crystals where the dominant vacancy‐type radiation defects are the vacancy–phosphorus (VP) and the vacancy–oxygen (VO) pairs, respectively. Both types of Ni‐diffused samples exhibit similar deep‐level spectra: The DLTS signatures of theVP andVO centers are totally converted into a novel peak at ≈180 K. Detailed Laplace‐DLTS studies show that the complexes formed in the FZ‐ and Cz‐Si are however different: The electron emission rates from the nickel‐related centers exhibit unequal activation energies (0.35 eV for NiVP in FZ‐Si and 0.37 eV for NiVO in Cz‐Si) and demonstrate quantitatively differing responses to the electric field. The origin for the similarity of the NiVP and NiVO complexes is discussed.
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