Degradation Induced by Forward Synchronized Stress in Poly-Si TFTs and Its Reduction by a Bridged-Grain Structure
Degradation Induced by Forward Synchronized Stress in Poly-Si TFTs and Its Reduction by a Bridged-Grain Structure
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多晶硅 TFT 中正向同步应力引起的退化及其通过桥接晶粒结构的减少
DOI：
10.1109/led.2019.2931007
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发表时间：
2019-07
影响因子：
4.9
通讯作者：
Hoi-Sing Kwok
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Meng Zhang;Xiaotong Ma;Sunbin Deng;Wei Zhou;Yan Yan;Man Wong;Hoi-Sing Kwok
在这封信中，提出了前向同步应力（FSS）来进一步模拟有源矩阵显示器中开关薄膜晶体管（TFT）的工作条件。 FSS 会导致多晶 (poly-Si) TFT 中的器件发生严重退化，
In this letter, forward synchronized stress (FSS) is proposed to further simulate the working conditions of switching thin-film transistors (TFTs) in active-matrix displays. The FSS induces tremendous device degradation in polycrystalline (poly-Si) TFTs,
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多晶硅薄膜晶体管的断态应力诱导绝缘能力及其通过桥接晶粒结构的改进
影响因子：
4.9
作者：
Meng Zhang;Yan Yan;Guijun Li;Sunbin Deng;Wei Zhou;Rongsheng Chen;Man Wong;Hoi-Sing Kwok
通讯作者：
Hoi-Sing Kwok
影响因子：
3.1
作者：
Huaisheng Wang;Mingxiang Wang;Zhenyu Yang;Han Hao;M. Wong
通讯作者：
Huaisheng Wang;Mingxiang Wang;Zhenyu Yang;Han Hao;M. Wong
影响因子：
3.1
作者：
Meng Zhang;Zhihe Xia;Wei Zhou;Rongsheng Chen;M. Wong;H. Kwok
通讯作者：
Meng Zhang;Zhihe Xia;Wei Zhou;Rongsheng Chen;M. Wong;H. Kwok
影响因子：
3.1
作者：
Wei Zhou;Shuyun Zhao;Rongsheng Chen;Meng Zhang;J. Ho;M. Wong;H. Kwok
通讯作者：
Wei Zhou;Shuyun Zhao;Rongsheng Chen;Meng Zhang;J. Ho;M. Wong;H. Kwok
影响因子：
3.1
作者：
Chen, Chih-Yang;Lee, Jain-Wem;Lei, Tan-Fu
通讯作者：
Lei, Tan-Fu