Comparison of the SET sensitivity of standard logic gates designed in 130 nm CMOS technology
Comparison of the SET sensitivity of standard logic gates designed in 130 nm CMOS technology
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采用130 nm CMOS技术设计的标准逻辑门的SET灵敏度比较
DOI：
10.1109/miel.2017.8190106
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
R. Kraemer
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Andjelkovic;M. Krstic;R. Kraemer
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DOI：
10.1109/iolts.2009.5195993
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2009
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影响因子：
--
作者：
S. Bota;G. Torrens;B. Alorda
通讯作者：
B. Alorda
DOI：
10.1109/tvlsi.2009.2020391
发表时间：
2009-08
影响因子：
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通讯作者：
Daniele Rossi;J. M. Cazeaux;Martin Omaña;C. Metra;A. Chatterjee
DOI：
--
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期刊：
影响因子：
--
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通讯作者：
X. Zhang
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影响因子：
--
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作者：
J. Leray
通讯作者：
J. Leray