Low Damage Neutral Beam AlGaN/GaN etching for Recess Gate Fabrication
Low Damage Neutral Beam AlGaN/GaN etching for Recess Gate Fabrication
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用于凹槽栅极制造的低损伤中性束 AlGaN/GaN 蚀刻
DOI：
--
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and S. Samukawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Higo;C.Y. Lee;J. Ohta;C. Thomas;Y. Tamura;H. Fujioka;and S. Samukawa
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Ti/Al 双层与 AlGaN/GaN 欧姆接触的深度剖面研究
DOI：
10.1016/j.matpr.2021.03.268
发表时间：
2021
期刊：
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影响因子：
--
作者：
A. Akkaya;E. Ayyildiz
通讯作者：
E. Ayyildiz
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影响因子：
1.7
作者：
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通讯作者：
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DOI：
10.1016/j.mssp.2015.02.062
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
Sam
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DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Sekhar;T. Kubota;T. Okada;Y. Tamura;C. Y. Lee;J. Ohta;H. Fujioka;S. Samukawa
通讯作者：
S. Samukawa
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2
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通讯作者：
Jen