Microscopic and electrical properties of Ge/Ge interfaces bonded by surface-activated wafer bonding technology
Microscopic and electrical properties of Ge/Ge interfaces bonded by surface-activated wafer bonding technology
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表面活化晶圆键合技术键合Ge/Ge界面的微观和电学特性
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takehiko Wada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kentaroh Watanabe;Kensuke Wada;Hidehiro Kaneda;Kensuke Ide;Masahiro Kato;Takehiko Wada
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