2-Bit/Cell Operation of Hf0.5Zr0.5O2 Based FeFET Memory Devices for NAND Applications
2-Bit/Cell Operation of Hf0.5Zr0.5O2 Based FeFET Memory Devices for NAND Applications
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用于 NAND 应用的基于 Hf0.5Zr0.5O2 的 FeFET 存储器件的 2 位/单元操作
DOI：
10.1109/jeds.2019.2913426
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发表时间：
2019-05
影响因子：
2.3
通讯作者：
Yichun Zhou
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Binjian Zeng;Min Liao;Qiangxiang Peng;Wenwu Xiao;Jiajia Liao;Shuaizhi Zheng;Yichun Zhou
The multilevel memory performances of ferroelectric field effect transistor (FeFET) with Hf0.5Zr0.5O2 (HZO) ferroelectric thin film are investigated. First, similar retention characteristics are observed for intermediate and saturated polarization states
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