Charge-collection properties of irradiated depleted CMOS pixel test structures
Charge-collection properties of irradiated depleted CMOS pixel test structures
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辐射耗尽 CMOS 像素测试结构的电荷收集特性
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Hemperek
中科院分区：
文献类型：
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作者：
I. Mandi'c;V. Cindro;A. Gorivsek;B. Hiti;G. Kramberger;M. Zavrtanik;M. Mikuvz;T. Hemperek
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在 150 nm CMOS 加工线上使用高阻晶圆的辐射硬像素传感器
影响因子：
1.3
作者：
D. -L. Pohl;T. Hemperek;F. Hügging;J. Janssen;H. Krüger;A. Macchiolo;N. Owtscharenko;I. Caicedo Sierra;L. Vigani;N. Wermes
通讯作者：
N. Wermes
影响因子：
1.3
作者：
H. Pernegger;R. Bates;C. Buttar;M. Dalla;J. V. Hoorne;T. Kugathasan;D. Maneuski;L. Musa;P. Riedler;C. Riegel;C. Sbarra;D. Schaefer;E. J. Schioppa;W. Snoeys
通讯作者：
H. Pernegger;R. Bates;C. Buttar;M. Dalla;J. V. Hoorne;T. Kugathasan;D. Maneuski;L. Musa;P. Riedler;C. Riegel;C. Sbarra;D. Schaefer;E. J. Schioppa;W. Snoeys
贫化 CMOS 像素探测器原型的中子辐照测试
影响因子：
1.3
作者：
I. Mandic;T. Hemperek;M. Daas;F. Hügging H. Krüger;D.-L. Pohl;N. Wermes
通讯作者：
N. Wermes
DOI：
10.1016/j.nima.2016.05.092
发表时间：
2016-09
影响因子：
1.4
作者：
V. Fadeyev;Z. Galloway;H. Grabas;A. Grillo;Zhijun Liang;F. Martinez-McKinney;A. Seiden;J. Volk;A. Affolder;M. Buckland;L. Meng;K. Arndt;D. Bortoletto;T. Huffman;J. John;S. McMahon;R. Nickerson;P. Phillips;R. Plackett;I. Shipsey;L. Vigani;R. Bates;A. Blue;C. Buttar;K. Kanisauskas;D. Maneuski;M. Benoit;F. D. Bello;P. Caragiulo;A. Dragone;P. Grenier;C. Kenney;F. Rubbo;J. Segal;D. Su;C. Tamma;D. Das;J. Dopke;R. Turchetta;F. Wilson;S. Worm;F. Ehrler;I. Perić;I. Gregor;M. Stanitzki;M. Hoeferkamp;S. Seidel;L. Hommels;G. Kramberger;I. Mandić;M. Mikuž;D. Muenstermann;Rui Wang;J. Zhang;M. Warren;W. Song;Q. Xiu;Hongbo Zhu
通讯作者：
V. Fadeyev;Z. Galloway;H. Grabas;A. Grillo;Zhijun Liang;F. Martinez-McKinney;A. Seiden;J. Volk;A. Affolder;M. Buckland;L. Meng;K. Arndt;D. Bortoletto;T. Huffman;J. John;S. McMahon;R. Nickerson;P. Phillips;R. Plackett;I. Shipsey;L. Vigani;R. Bates;A. Blue;C. Buttar;K. Kanisauskas;D. Maneuski;M. Benoit;F. D. Bello;P. Caragiulo;A. Dragone;P. Grenier;C. Kenney;F. Rubbo;J. Segal;D. Su;C. Tamma;D. Das;J. Dopke;R. Turchetta;F. Wilson;S. Worm;F. Ehrler;I. Perić;I. Gregor;M. Stanitzki;M. Hoeferkamp;S. Seidel;L. Hommels;G. Kramberger;I. Mandić;M. Mikuž;D. Muenstermann;Rui Wang;J. Zhang;M. Warren;W. Song;Q. Xiu;Hongbo Zhu
AMS HV-CMOS 350 nm 原型芯片 HVStripV1 的辐射硬度研究
影响因子：
1.3
作者：
Kanisauskas K
通讯作者：
Kanisauskas K