Resistive switching characteristics of ZnO based ReRAMs with different annealing temperatures
Resistive switching characteristics of ZnO based ReRAMs with different annealing temperatures
复制标题
不同退火温度下ZnO基ReRAM的阻变特性
DOI：
10.1016/j.sse.2012.04.032
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发表时间：
2012-09
影响因子：
1.7
通讯作者：
季振国
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
李红霞;Niu Ben;毛启楠;席俊华;柯伟青;季振国
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影响因子：
3.9
作者：
R. Bruchhaus;M. Honal;R. Symanczyk;M. Kund
通讯作者：
R. Bruchhaus;M. Honal;R. Symanczyk;M. Kund
影响因子：
3.2
作者：
Lee, Seunghyup;Kim, Heejin;Yong, Kijung
通讯作者：
Yong, Kijung
DOI：
10.1002/pssa.200824291
发表时间：
2009-04-01
影响因子：
2
作者：
Hong, Jongin;Paik, Hanjong;No, Kwangsoo
通讯作者：
No, Kwangsoo
影响因子：
4.9
作者：
W. Wang;S. Fujita;S.S. Wong
通讯作者：
W. Wang;S. Fujita;S.S. Wong
TiN/ZnO/Pt电阻切换随机存取存储器的导通/置位过程特性及机制
影响因子：
4
作者：
Xu, Nuo;Liu, Lifeng;Yu, Bin
通讯作者：
Yu, Bin