Killing EM Side-Channel Leakage at its Source
Killing EM Side-Channel Leakage at its Source
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从源头上消除电磁侧通道泄漏
DOI：
10.1109/mwscas48704.2020.9184657
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Sen, Shreyas
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Das, Debayan;Nath, Mayukh;Ghosh, Santosh;Sen, Shreyas
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采用 65nm CMOS 的 415 nW 物理和数学安全电准静态 HBC 节点，适用于身份验证和医疗应用
DOI：
10.1109/cicc48029.2020.9075930
发表时间：
2020
期刊：
IEEE Custom Integrated Circuits Conference (CICC
影响因子：
--
作者：
Maity, Shovan;Modak, Nirmoy;Yang, David;Avlani, Shitij;Nath, Mayukh;Danial, Josef;Das, Debayan;Mehrotra, Parikha;Sen, Shreyas
通讯作者：
Sen, Shreyas
影响因子：
3.9
作者：
Danial, Josef;Das, Debayan;Sen, Shreyas
通讯作者：
Sen, Shreyas
影响因子：
4.6
作者：
Das, Debayan;Maity, Shovan;Sen, Shreyas
通讯作者：
Sen, Shreyas
使用 65nm CMOS 中的电流域特征衰减的深度学习抗侧通道攻击 AES-256
DOI：
10.1109/cicc48029.2020.9075889
发表时间：
2020
期刊：
2020 IEEE Custom Integrated Circuits Conference (CICC
影响因子：
--
作者：
Das, Debayan;Danial, Josef;Golder, Anupam;Ghosh, Santosh;Wdhury, Arijit Raycho;Sen, Shreyas
通讯作者：
Sen, Shreyas
DOI：
10.1109/tcsi.2018.2819499
发表时间：
2018-10-01
影响因子：
5.1
作者：
Das, Debayan;Maity, Shovan;Sen, Shreyas
通讯作者：
Sen, Shreyas