Deep levels in GaAs ultrashallow sidewall pin junctions measured by photocapacitance method
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光电容法测量GaAs超浅侧壁pin结的深层能级
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
大野武雄
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Niizeki;H.Kubota;Y.Ando;T.Miyazaki;大野武雄
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E. Merino