A Low Reverse Recovery Charge Superjunction MOSFET With an Integrated Tunneling Diode
A Low Reverse Recovery Charge Superjunction MOSFET With an Integrated Tunneling Diode
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具有集成隧道二极管的低反向恢复电荷超级结 MOSFET
DOI：
10.1109/ted.2019.2936584
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发表时间：
2019-09
影响因子：
3.1
通讯作者：
Tang Fang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li Ping;Guo Jingwei;Hu Shengdong;Lin Zhi;Tang Fang
提出了一种集成隧道二极管的超结MOSFET，并进行了模拟研究。在P-基极区的表面上包括N+区和P+区的隧穿二极管与由氧化物层隔离的P+/P-柱/N+（子）二极管串联连接。防止电子从N柱区和N+（子）区注入到P柱区中，这导致所提出的器件中的低反向恢复电荷。结果表明，在300和400 K时，与传统的反向恢复电荷相比，反向恢复电荷分别减少了72.2%和74.1%。
A superjunction MOSFET with an integrated tunneling diode is proposed and investigated by simulations in this article. The tunneling diode comprised the N+ region and the P+ region on the surface of the P-base region is connected in series with the P+/P-pillar/N+ (sub) diode isolated by an oxide layer. The electrons are prevented from injecting into the P-pillar region from both the N-pillar region and the N+ (sub) region, which leads to a low reverse recovery charge in the proposed device. As a result, up to 72.2% and 74.1% reduction in the reverse recovery charge could be achieved when compared with the conventional one at 300 and 400 K, respectively.
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影响因子：
4.9
作者：
H. Kang;F. Udrea
通讯作者：
H. Kang;F. Udrea
影响因子：
4.9
作者：
Cao, Zhen;Duan, Baoxing;Yang, Yintang
通讯作者：
Yang, Yintang
DOI：
10.1109/ispsd.2003.1225288
发表时间：
2003-04
期刊：
ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 2003. Proceedings.
影响因子：
--
作者：
Xu Cheng;Xing-Ming Liu;J. Sin;B. Kang
通讯作者：
Xu Cheng;Xing-Ming Liu;J. Sin;B. Kang
影响因子：
6.7
作者：
Juan Rodríguez;D. G. Lamar;J. Roig;Alberto Rodríguez;F. Bauwens
通讯作者：
Juan Rodríguez;D. G. Lamar;J. Roig;Alberto Rodríguez;F. Bauwens
DOI：
10.1007/978-3-319-97604-4
发表时间：
2019
期刊：
Springer Proceedings in Physics
影响因子：
--
作者：
Ravi Sharma;D. S. Rawal
通讯作者：
Ravi Sharma;D. S. Rawal