: “MBE grown p-type AlGaN and MBE-MOCVD hybrid deep ultraviolet light emitting diodes
: “MBE grown p-type AlGaN and MBE-MOCVD hybrid deep ultraviolet light emitting diodes
复制标题
：“MBE 生长的 p 型 AlGaN 和 MBE-MOCVD 混合深紫外发光二极管
DOI：
--
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Hirayama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Wang;N. Maeda;K. Mahanmad;H. Hirayama
登录
查看更多内容
影响因子：
3.2
作者：
Cheng Liu;Y. Ooi;Jing Zhang
通讯作者：
Cheng Liu;Y. Ooi;Jing Zhang
影响因子：
1.9
作者：
Kneissl, M.;Kolbe, T.;Weyers, M.
通讯作者：
Weyers, M.
通过提高注入和光提取效率实现高效 AlGaN 基深 V LED
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Hirayama;M. Akiba;Y. Tomita;S. Fujikawa and N. Kamata
通讯作者：
S. Fujikawa and N. Kamata
用于紫外激光器的 AlInN-delta-GaN 量子阱的大 TE 偏振光学增益
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
SPIE OPTO
影响因子：
--
作者：
Cheng Liu;Y. Ooi;Jing Zhang
通讯作者：
Jing Zhang
影响因子：
1.5
作者：
Islam, S. M.;Protasenko, Vladimir;Jena, Debdeep
通讯作者：
Jena, Debdeep