High-Efficiency AlGaN-based Deep -V LEDs Realized by Improving Injection and Light-Extraction Efficiency
High-Efficiency AlGaN-based Deep -V LEDs Realized by Improving Injection and Light-Extraction Efficiency
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通过提高注入和光提取效率实现高效 AlGaN 基深 V LED
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Fujikawa and N. Kamata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Hirayama;M. Akiba;Y. Tomita;S. Fujikawa and N. Kamata
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影响因子：
4
作者：
Hirayama, Hideki;Yatabe, Tohru;Kamata, Norihiko
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Kamata, Norihiko
影响因子：
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Kawanishi, Hideo;Senuma, Masanori;Nukui, Takeaki
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4
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通讯作者：
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影响因子：
1.5
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通讯作者：
H. Hirayama;K. Akita;T. Kyono;Takao Nakamura;K. Ishibashi
大芯片高功率深紫外发光二极管
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Shatalov;Wenhong Sun;Y. Bilenko;A. Sattu;Xuhong Hu;Jianyu Deng;Jinwei Yang;M. Shur;C. Moe;M. Wraback;R. Gaska
通讯作者：
R. Gaska