Impact of Annealing Temperature on Surface Passivation of SiC Epitaxial Layers with Deposited SiO2 Followed by POCl3 Annealing
Impact of Annealing Temperature on Surface Passivation of SiC Epitaxial Layers with Deposited SiO2 Followed by POCl3 Annealing
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退火温度对沉积 SiO2 后进行 POCl3 退火的 SiC 外延层表面钝化的影响
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Jun Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takafumi Okuda;Takuma Kobayashi;Tsunenobu Kimoto;and Jun Suda
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影响因子：
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作者：
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通讯作者：
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通讯作者：
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DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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作者：
Koutarou Kawahara;et al.
通讯作者：
et al.