Radiation Hardening by the Modification of Shallow Trench Isolation Process in Partially Depleted SOI MOSFETs
Radiation Hardening by the Modification of Shallow Trench Isolation Process in Partially Depleted SOI MOSFETs
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通过修改部分耗尽型 SOI MOSFET 中的浅沟槽隔离工艺来实现抗辐射
DOI：
10.1109/tns.2018.2798295
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发表时间：
2018-03
影响因子：
1.8
通讯作者：
Peng C
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Peng Chao;En Yunfei;Chen Yiqiang;Lei Zhifeng;Zhang Zhangang;Hu Zhiyuan;Zhang Zhengxuan;Li Bin;Peng C
Two radiation hardening processes for shallow trench isolation (STI), i.e., Si+ implantation and STI oxide nitridation are investigated, including the impact on nominal electrical characteristics and radiation hardness. The total ionizing dose effects of
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R. Krantz;J. Scarpulla;J. Cable
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Tiao-Yuan Huang;Fuh-Cheng Jong;Tien-Sheng Chao;Horng-Chih Lin;Len-Yi Leu;Konrad Young;Chen-Hsi Lin-Chen-H
通讯作者：
Tiao-Yuan Huang;Fuh-Cheng Jong;Tien-Sheng Chao;Horng-Chih Lin;Len-Yi Leu;Konrad Young;Chen-Hsi Lin-Chen-H
影响因子：
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Huixiang Huang;Dawei Bi;Ming Chen;Yanwei Zhang;Xing Wei;Zhiyuan Hu;Zhengxuan Zhang
通讯作者：
Huixiang Huang;Dawei Bi;Ming Chen;Yanwei Zhang;Xing Wei;Zhiyuan Hu;Zhengxuan Zhang