Error Rates in Deterministic Ion Implantation for Qubit Arrays
Error Rates in Deterministic Ion Implantation for Qubit Arrays
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量子位阵列确定性离子注入的错误率
DOI：
10.1002/pssb.202000615
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Murdin B
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Murdin B
本文研究了在确定性离子注入中，当使用泊松点过程的离子束时，用一个计数碰撞的探测器的理论误差率。可以得出结论，如果错误率小，则对于标称具有一个注入离子的点，对于同步（即，脉冲的）系统或用于异步（即，连续束）系统，其中是探测器错过离子撞击的概率，和分别是每单位时间和每脉冲的离子数（暗计数）。t是异步系统的系统反应时间。这种近似值可以很容易地识别出最需要的工程工作。一些实验的努力来测量这些参数和它们的不确定性进行检查。
The theoretical error rates in deterministic ion implantation when using an ion beam governed by a Poisson point process with a detector that counts the impacts are investigated. It is concluded that if the error rates are small, then for spots with nominally one implanted ion the probability of failure to implant the correct number is ≈for a synchronous (i.e., pulsed) system orfor an asynchronous (i.e., continuous beam) system, whereis the probability that the detector misses an ion impact, andandare the number of ions (dark counts) per unit time and per pulse, respectively.tsis the system reaction time for an asynchronous system. This approximation allows easy identification of the greatest need for engineering effort. Some experimental efforts to measure these parameters and their uncertainties are examined.
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