Formation Mechanisms of Divacancy-Oxygen Complex in Silicon
Formation Mechanisms of Divacancy-Oxygen Complex in Silicon
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硅中双空位-氧配合物的形成机制
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Furuhashi and K. Taniguchi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Atsushi Miyake;et. al.;仁谷 浩明;M. Furuhashi and K. Taniguchi
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