A New CMOS Broadband, High Impedance LNA for MRI Achieving an Input Referred Voltage Noise Spectral Density of 200pV/Hz√
A New CMOS Broadband, High Impedance LNA for MRI Achieving an Input Referred Voltage Noise Spectral Density of 200pV/Hz√
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用于 MRI 的新型 CMOS 宽带、高阻抗 LNA 可实现 200pV/Hz 的输入参考电压噪声频谱密度â
DOI：
10.1109/iscas.2019.8702445
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Anders J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Horneff A;Schlecker M;Haeberle M;Hell E;Ulrici J;Rasche V;Anders J
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影响因子：
2.2
作者：
Anders, Jens;Handwerker, Jonas;Boero, Giovanni
通讯作者：
Boero, Giovanni
用于 MRI 的低噪声 CMOS 接收器前端
DOI：
10.1109/biocas.2008.4696900
发表时间：
2008
期刊：
2008 IEEE Biomedical Circuits and Systems Conference
影响因子：
--
作者：
J. Anders;G. Boero
通讯作者：
G. Boero
影响因子：
4.6
作者：
Grisi M;Vincent F;Volpe B;Guidetti R;Harris N;Beck A;Boero G
通讯作者：
Boero G
基于电磁仿真的包含信号和噪声的定制 MR 线圈的设计流程
影响因子：
10.6
作者：
Andreas Horneff;M. Eder;E. Hell;J. Ulrici;J. Felder;V. Rasche;J. Anders
通讯作者：
J. Anders
影响因子：
2.2
作者：
Augath, Mark;Heiler, Patrick;Schad, Lothar R.
通讯作者：
Schad, Lothar R.