Charge transfer on porous silicon membranes studied by current-sensing atomic force microscopy
Charge transfer on porous silicon membranes studied by current-sensing atomic force microscopy
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通过电流感应原子力显微镜研究多孔硅膜上的电荷转移
DOI：
10.1016/j.cclet.2007.12.003
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发表时间：
2008-02
影响因子：
9.1
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
用电流敏感原子力显微镜观察到金属/多孔硅/p-硅的电流-电压曲线有明显的整流效应。通过恒定时间改变刻蚀电流密度制备的不同孔隙率的多孔硅膜的电流-电压曲线表明，孔隙率越高，电阻越高，整流能力越小，直到电流在孔隙率为55%时达到阈值。我们认为，孔隙率为55%的多孔硅薄膜中的电导模式主要是纳米晶之间的跳跃机制，多孔硅和p-Si界面之间的反向静电场阻止了多孔硅向p-Si的电子注入，但当孔隙率≤为55%时，电子通过纳米晶之间的直接连续通道流动。
A visible rectification effect on the current–voltage curves of metal/porous silicon/p-silicon has been observed by current-sensing atomic force microscopy. The current–voltage curves of porous silicon membranes with different porosities, prepared through variation of etching current density for a constant time, indicate that a higher porosity results in a higher resistance and thus a lower rectification, until the current reaches a threshold at a porosity >55%. We propose that the conductance mode in the porous silicon membrane with porosities >55% is mainly a hopping mechanism between nano-crystallites and an inverse static electric field between the porous silicon and p-Si interface blocks the electron injection from porous silicon to p-Si, but with porosities ≤55%, electron flows through a direct continuous channel between nano-crystallites.
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影响因子：
3.2
作者：
BENCHORIN, M;MOLLER, F;KOCH, F
通讯作者：
KOCH, F
影响因子：
1.9
作者：
D. Yarkin;L. Balagurov;S. Bayliss;I. Zvyagin
通讯作者：
D. Yarkin;L. Balagurov;S. Bayliss;I. Zvyagin
DOI：
10.1088/0022-3727/33/16/304
发表时间：
2000-08
期刊：
Journal of Physics D
影响因子：
--
作者：
V. Vikulov;V. Strikha;V. Skryshevsky;S. Kilchitskaya;É. Souteyrand;J. R. Martin
通讯作者：
V. Vikulov;V. Strikha;V. Skryshevsky;S. Kilchitskaya;É. Souteyrand;J. R. Martin
影响因子：
3.2
作者：
L. Balagurov;S. Bayliss;V. S. Kasatochkin;E. A. Petrova;B. Unal;D. Yarkin
通讯作者：
L. Balagurov;S. Bayliss;V. S. Kasatochkin;E. A. Petrova;B. Unal;D. Yarkin
影响因子：
2.6
作者：
V. Strikha;V. Skryshevsky;V. Polishchuk;É. Souteyrand;J. R. Martin
通讯作者：
V. Strikha;V. Skryshevsky;V. Polishchuk;É. Souteyrand;J. R. Martin