Temperature characteristics of high-current UWBG enhancement and depletion mode AlGaN-channel MOSHFETs
Temperature characteristics of high-current UWBG enhancement and depletion mode AlGaN-channel MOSHFETs
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高电流 UWBG 增强型和耗尽型 AlGaN 沟道 MOSHFET 的温度特性
DOI：
10.1063/5.0031462
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发表时间：
2020
影响因子：
4
通讯作者：
Khan, Asif
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Mollah, Shahab;Gaevski, Mikhail;Hussain, Kamal;Mamun, Abdullah;Chandrashekhar, MVS;Simin, Grigory;Khan, Asif
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低 RC 恒定穿孔沟道 HFET
影响因子：
4.9
作者：
G. Simin;Mirwazul Islam;M. Gaevski;Jianyu Deng;R. Gaska;M. Shur
通讯作者：
M. Shur
影响因子：
4
作者：
Muhtadi, S.;Hwang, S.;Khan, A.
通讯作者：
Khan, A.
影响因子：
2.3
作者：
Shahab Mollah;M. Gaevski;K. Hussain;A. Mamun;Rich Floyd;Xuhong Hu;M. Chandrashekhar;G. Simin;Asif Khan
通讯作者：
Shahab Mollah;M. Gaevski;K. Hussain;A. Mamun;Rich Floyd;Xuhong Hu;M. Chandrashekhar;G. Simin;Asif Khan
未钝化的 GaN/AlGaN/GaN 功率高电子迁移率晶体管，其色散由外延层设计控制
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
U. Mishra
低阈值 - 14 W/mm ZrO2/AlGaN/GaN 金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管
影响因子：
1.5
作者：
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通讯作者：
Muhammad Asif Khan