Low-Programmable-Voltage Nonvolatile Memory Devices Based on Omega-shaped Gate Organic Ferroelectric P(VDF-TrFE) Field Effect Transistors Using p-type Silicon Nanowire Channels.
Low-Programmable-Voltage Nonvolatile Memory Devices Based on Omega-shaped Gate Organic Ferroelectric P(VDF-TrFE) Field Effect Transistors Using p-type Silicon Nanowire Channels.
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DOI：
10.1007/s40820-014-0016-2
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发表时间：
2015
影响因子：
26.6
通讯作者：
Kang DJ
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Van NH;Lee JH;Whang D;Kang DJ
提出了一种基于铁电栅场效应晶体管的高性能非易失性存储器件的制备方法，该方法采用Ω形栅有机铁电聚偏氟乙烯-三氟乙烯（P（VDF-TrFE））包覆p型硅纳米线。我们克服了界面层的问题，将P（VDF-TrFE）作为铁电栅极使用低温制造工艺。我们的存储器件表现出优异的存储特性，具有±5 V的低编程电压，导通和关断状态之间的沟道电导超过105的大调制，大于3 × 104 s的长保留时间，以及超过105个编程周期的高耐久性，同时保持高于102的ION/IOFF比。
A facile approach was demonstrated for fabricating high-performance nonvolatile memory devices based on ferroelectric-gate field effect transistors using a p-type Si nanowire coated with omega-shaped gate organic ferroelectric poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (P(VDF-TrFE)). We overcame the interfacial layer problem by incorporating P(VDF-TrFE) as a ferroelectric gate using a low-temperature fabrication process. Our memory devices exhibited excellent memory characteristics with a low programming voltage of ±5 V, a large modulation in channel conductance between ON and OFF states exceeding 105, a long retention time greater than 3 × 104 s, and a high endurance of over 105 programming cycles while maintaining an ION/IOFF ratio higher than 102.
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