Effect of oxidation on intrinsic residual stress in amorphous silicon carbide films.
Effect of oxidation on intrinsic residual stress in amorphous silicon carbide films.
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DOI：
10.1002/jbm.b.34258
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发表时间：
2019-07
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Cogan SF
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Deku F;Mohammed S;Joshi-Imre A;Maeng J;Danda V;Gardner TJ;Cogan SF
研究了暴露在空气和潮湿环境中的PECVD非晶碳化硅（a-SiC：H）薄膜残余应力的变化。通过对a-SiC：H薄膜的力学和化学特性的研究，发现应力变化与沉积条件有着密切的关系。无定形碳化硅薄膜与周围环境中的氧气和水蒸气反应的证据。研究了沉积参数对a-SiC：H薄膜氧化和应力变化的影响。结果表明，在低温或低功率下沉积的薄膜易被氧化，并且随着时间的推移，薄膜的压应力显著增加。此外，在足够高的温度（≥ 325 °C）和功率密度（≥ 0.2 Wcm−2）下沉积的薄膜不会表现出明显的氧化或时间应力变化。这些结果作为开发用于植入式医疗设备的基于非晶碳化硅的电介质封装的基础。
The change in residual stress in PECVD amorphous silicon carbide (a-SiC:H) films exposed to air and wet ambient environments is investigated. A close relationship between stress change and deposition condition is identified from mechanical and chemical characterization of a-SiC:H films. Evidence of amorphous silicon carbide films reacting with oxygen and water vapor in the ambient environment are presented. The effect of deposition parameters on oxidation and stress variation in a-SiC:H film is studied. It is found that the films deposited at low temperature or power are susceptible to oxidation and undergo a notable increase in compressive stress over time. Furthermore, the films deposited at sufficiently high temperature (≥ 325 °C) and power density (≥ 0.2 Wcm−2) do not exhibit pronounced oxidation or temporal stress variation. These results serve as the basis for developing amorphous silicon carbide based dielectric encapsulation for implantable medical devices.
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影响因子：
4
作者：
Diaz-Botia, C. A.;Luna, L. E.;Maharbiz, M. M.
通讯作者：
Maharbiz, M. M.
影响因子：
4.9
作者：
Cogan, SF;Edell, DJ;Edell, R
通讯作者：
Edell, R
影响因子：
3.7
作者：
Amon, M;Bolz, A;Schaldach, M
通讯作者：
Schaldach, M
DOI：
10.1143/jjap.23.810
发表时间：
1984-01-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
FUJIMOTO, F;OOTUKA, A;HAMAKAWA, Y
通讯作者：
HAMAKAWA, Y
影响因子：
3.5
作者：
Oliveira, A. R.;Carreno, M. N. P.
通讯作者：
Carreno, M. N. P.