Heat transfer improvement in quasi-monolithic integration technology
Heat transfer improvement in quasi-monolithic integration technology
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准单片集成技术的传热改进
DOI：
10.1117/1.2008968
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发表时间：
2005
影响因子：
2
通讯作者：
Rainer Kassing
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Mojtaba Joodaki;Gunter Kompa;Hartmut Hillmer;Rainer Kassing
对早期概念和增强型准单片集成技术（QMIT）进行了详细的静态热分析。描述了几个参数的影响，例如所涉及的材料的性质和所有可能结构中的不同几何形状。仿真结果证实了增强的QMIT结构具有非常低的热阻，并突出了其相对于早期QMIT结构概念的优越性。这将导致更长的使用寿命，更高的可靠性和更好的封装性能。
Static thermal analyses for the earlier concept and the enhanced quasi-monolithic integration technology (QMIT) are performed in detail. The effects of several parameters such as the properties of the materials involved and different geometries in all possible structures are described. Simulation results confirm a very low thermal resistance for the enhanced QMIT structure and highlight its superiority to the earlier concept of QMIT structures. This leads to a longer lifetime, a higher reliability and a better performance of the packaging.
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适用于微波和毫米波应用的增强型准单片集成技术
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Joodaki;G. Kompa;H. Hillmer
通讯作者：
H. Hillmer
准单片 Si 环境中的 GaAs FET 表征
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
影响因子：
--
作者：
E. Wasige;G. Kompa;F. van Raay;W. Scholz;I. Rangelow;R. Kassing;S. Bertram;P. Hudek
通讯作者：
P. Hudek
12 GHz 共面准单片振荡器
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
影响因子：
--
作者：
E. Wasige;G. Kompa;F. van Raay;W. Scholz;I. Rangelow;R. Kassing;S. Bertram;P. Hudek
通讯作者：
P. Hudek
新一代准单片集成技术（QMIT）中的传热和热应力分析
DOI：
--
发表时间：
2002
期刊：
Electronic Components and Technology Conference
影响因子：
--
作者：
M. Joodaki;T. Senyildiz;G. Kompa
通讯作者：
G. Kompa