Amorphous gallium oxide as an improved host for inorganic light-emitting thin film semiconductor fabricated at room temperature on glass
Amorphous gallium oxide as an improved host for inorganic light-emitting thin film semiconductor fabricated at room temperature on glass
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非晶态氧化镓作为室温下在玻璃上制造的无机发光薄膜半导体的改进基质
DOI：
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发表时间：
2017
影响因子：
2.2
通讯作者：
and Toshio Kamiya
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Naoto Watanabe;Junghwan Kim;Keisuke Ide;Hidenori Hiramatsu;Hiroshi Kumigashira;Shigenori Ueda;Hideo Hosono;and Toshio Kamiya
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影响因子：
4
作者：
Ide, Keisuke;Kikuchi, Yutomo;Hosono, Hideo
通讯作者：
Hosono, Hideo
影响因子：
64.8
作者：
Nomura, K;Ohta, H;Hosono, H
通讯作者：
Hosono, H
影响因子：
2.1
作者：
Haochun Tang;K. Ide;H. Hiramatsu;S. Ueda;N. Ohashi;H. Kumomi;H. Hosono;T. Kamiya
通讯作者：
Haochun Tang;K. Ide;H. Hiramatsu;S. Ueda;N. Ohashi;H. Kumomi;H. Hosono;T. Kamiya
混合价系 EuCu 2 Si 2 的 3d 核心级 X 射线光电子能谱
DOI：
--
发表时间：
1981
期刊：
影响因子：
--
作者：
L. C. Gupta;E. Sampathkumaran;R. Vijayaraghavan;V. Prabhawalkar;P. Prabhawalkar;B. D. Padalia
通讯作者：
B. D. Padalia
影响因子：
3.7
作者：
Ruck, B. J.;Trodahl, H. J.;Meyer, C.
通讯作者：
Meyer, C.