In-situ X-ray diffraction analysis of GaN growth on epitaxial graphene with AlN buffer layer
In-situ X-ray diffraction analysis of GaN growth on epitaxial graphene with AlN buffer layer
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具有 AlN 缓冲层的外延石墨烯上 GaN 生长的原位 X 射线衍射分析
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and H. Hibino
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Fuke;T. Sasaki;Y. Kawai;and H. Hibino
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