AlInP photodiode x-ray detectors
AlInP photodiode x-ray detectors
复制标题
AlInP 光电二极管 X 射线探测器
DOI：
10.1088/1361-6463/ab0d65
复制
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Zhao S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhao S
在室温（24 ℃）下，研究了四个厚度为6 μm，直径为217 μm±15 μm和409 μm±28 μm的Al0.52In0.48Pp +-In+梅萨光电二极管。电气特性测量值与显示装置作为X射线探测器的性能的测量值一起沿着报告。该器件在100 V反向偏压（电场强度为167 kV cm-1）下表现出漏电流< 3 pA（对应于漏电流密度< 2 nA cm-2）。将光电二极管耦合到定制的低噪声电荷灵敏度放大器上，研究了所得光谱仪的噪声特性随整形时间的变化。用直径为217 μm±15 μm和409 μm±28 μm的光电二极管获得的最佳能量分辨率（来自55 Fe放射性同位素X射线源的5.9 keV峰的半高宽）分别为0.89 keV和1.05 keV。室温下Al 0.52 In 0.48 P的介电损耗因子估计为（2.2±1.1）× 10− 3。
Four Al 0.52 In 0.48 P p+-in+ mesa photodiodes with 6 μm thick i layers and two different diameters (217 μm±15 μm and 409 μm±28 μm) were studied at room temperature (24 C). Electrical characterisation measurements are reported along with measurements showing the performance of the devices as x-ray detectors. The devices exhibited leakage currents< 3 pA (corresponding to leakage current densities< 2 nA cm− 2) at 100 V reverse bias (electric field strength of 167 kV cm− 1). The photodiodes were coupled to a custom-made low-noise charge-sensitive preamplifier, the noise characteristics of the resultant spectrometers were investigated as functions of shaping times. The best energy resolutions (full width at half maximum of the 5.9 keV photopeak from an 55 Fe radioisotope x-ray source) achieved with the 217 μm±15 μm and 409 μm±28 μm diameter photodiodes were 0.89 keV and 1.05 keV, respectively. The dielectric dissipation factor of Al 0.52 In 0.48 P was estimated to be (2.2±1.1)× 10− 3 at room temperature.
登录
查看更多内容
影响因子：
3.2
作者：
S. Butera;G. Lioliou;A. Krysa;A. M. Barnett
通讯作者：
S. Butera;G. Lioliou;A. Krysa;A. M. Barnett
使用商用 4H-SiC 肖特基光电二极管进行软 X 射线检测和光子计数光谱
DOI：
10.1016/j.nima.2016.05.053
发表时间：
2016
影响因子：
1.4
作者：
S. Zhao;T. Gohil;G. Lioliou;A. M. Barnett
通讯作者：
A. M. Barnett
DOI：
10.1016/s0168-9002(96)00474-3
发表时间：
1996-10-01
影响因子：
1.4
作者：
Bertuccio, G;Pullia, A;DeGeronimo, G
通讯作者：
DeGeronimo, G
X 射线光谱学中 Al0.2Ga0.8As X 射线光电二极管的温度依赖性
影响因子：
3.2
作者：
M. Whitaker;S. Butera;G. Lioliou;A. M. Barnett
通讯作者：
A. M. Barnett
低温下未掺杂 n 型硅和未掺杂 4H-SiC 单晶的微波损耗
影响因子：
2.4
作者：
H. Jung;W. Yang;M. Cho;Kee Nam Joo;Sang Young Lee
通讯作者：
Sang Young Lee