Maskless selective direct growth and doping of GaAs using a Ga-Sn low Energy focused ion beam for in-situ micro-device structure fabrication
Maskless selective direct growth and doping of GaAs using a Ga-Sn low Energy focused ion beam for in-situ micro-device structure fabrication
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使用 Ga-Sn 低能聚焦离子束进行 GaAs 无掩模选择性直接生长和掺杂，用于原位微型器件结构制造
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K.Pak
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D.H.Cho;Y.Suzuki;M.Tanaka;M.Hachiro;K.Pak
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低能Ga聚焦离子束与As4分子束原位无掩模选择性外延GaAs的研究
DOI：
10.1016/0022-0248(94)00494-3
发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
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作者：
Isao Saitoh;K. Pak;Y. Inoue;N. Ohshima;H. Yonezu
通讯作者：
H. Yonezu
使用低能 Ga 聚焦离子束进行 GaAs 原位无掩模选择性区域外延
DOI：
10.1016/0022-0248(94)90518-5
发表时间：
1994
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Pak;Isao Saitoh;N. Ohshima;H. Yonezu
通讯作者：
H. Yonezu
分子束外延生长期间通过聚焦离子束掺杂形成的选择性区域二维电子气结构和原位欧姆接触图案
DOI：
10.1016/0022-0248(93)90722-9
发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. H. Thompson;G. Jones;D. Ritchie;E. Linfield;M. Houlton;G. W. Smith;C. Whitehouse
通讯作者：
C. Whitehouse
在分子束外延生长过程中使用聚焦离子束制造三维欧姆接触图案
DOI：
10.1116/1.589641
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
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作者：
P. Sazio;G. Jones;E. Linfield;D. Ritchie
通讯作者：
D. Ritchie
在分子束外延生长过程中使用极低能量原位聚焦离子束进行三维掺杂剂图案化
DOI：
10.1116/1.588698
发表时间：
1996
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Sazio;J. H. Thompson;G. Jones;E. Linfield;D. Ritchie;M. Houlton;G. W. Smith
通讯作者：
G. W. Smith