Improved Performance of 4H-SiC Double Reduced Surface Field Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors by Increasing RESURF Doses
Improved Performance of 4H-SiC Double Reduced Surface Field Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors by Increasing RESURF Doses
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通过增加 RESURF 剂量提高 4H-SiC 双减表面场金属氧化物半导体场效应晶体管的性能
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Kimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Noborio;J. Suda;T. Kimoto
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采用与工业应用兼容的栅极技术的 4H-SiC 功率 MOSFET 阻断 1200V
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.433-436.769
发表时间：
2003
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
D. Peters;A. Schöner;P. Friedrichs;D. Stephani
通讯作者：
D. Stephani
具有埋沟道结构的 4H-SiC 横向 RESURF MOSFET
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.433-436.753
发表时间：
2003
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
Seiji Suzuki;S. Harada;T. Yatsuo;R. Kosugi;J. Senzaki;K. Fukuda
通讯作者：
K. Fukuda
具有两个 RESURF 区域的 1300V 6H-SiC 横向 MOSFET
影响因子：
4.9
作者：
S. Banerjee;T. P. Chow;Ronald J. Gutmann
通讯作者：
Ronald J. Gutmann
DOI：
10.1143/jjap.44.1213
发表时间：
2005-03-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Kimoto, T;Kanzaki, Y;Matsunami, H
通讯作者：
Matsunami, H
影响因子：
3.2
作者：
Negoro, Y;Katsumoto, K;Matsunami, H
通讯作者：
Matsunami, H