Gate Oxide TDDB Evaluation System for SiC Power Devices under Switching Operation Conditions
Gate Oxide TDDB Evaluation System for SiC Power Devices under Switching Operation Conditions
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用于开关操作条件下 SiC 功率器件的栅极氧化物 TDDB 评估系统
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Keiji Wada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shin-Ichiro Hayashi;Keiji Wada
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使用光子发射光谱特征表征 ESD 应力对 SiC MOSFET 的影响
DOI：
10.1016/j.microrel.2017.07.013
发表时间：
2017
期刊：
2017 Annual Reliability and Maintainability Symposium (RAMS)
影响因子：
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作者：
N. Moultif;E. Joubert;M. Masmoudi;O. Latry
通讯作者：
O. Latry
先进栅堆叠中 AC TDDB 行为的物理机制研究
DOI：
10.1109/irps.2014.6860667
发表时间：
2014
期刊：
2014 IEEE International Reliability Physics Symposium
影响因子：
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作者：
C. L. Chen;S. W. Chang;S. C. Chen;Y. Lee;Y. Lee;D. Huang;J. Shih;K. Wu
通讯作者：
K. Wu
类似反相器的转换对器件 TDDB 和环形振荡器的影响
DOI：
10.1109/irps.2015.7112803
发表时间：
2015
期刊：
2015 IEEE International Reliability Physics Symposium
影响因子：
--
作者：
T. Yew;Y. Huang;M. Hsieh;W. Wang;Y. Lee
通讯作者：
Y. Lee
使用每条桥臂多次短路的初始充电方法对功率 MOSFET 进行可靠性评估
影响因子：
1.6
作者：
Mannen Tomoyuki;Wada Keiji
通讯作者：
Wada Keiji
32nm 高 k/金属栅极 CMOSFET 中频率相关的 TDDB 行为及其可靠性鉴定
DOI：
10.1109/irps.2011.5784445
发表时间：
2011
期刊：
2011 International Reliability Physics Symposium
影响因子：
--
作者：
Kyongtaek Lee;J. Nam;M. Jin;Kidan Bae;Junekyun Park;Lira Hwang;Jungin Kim;H. Kim;Jongwoo Park
通讯作者：
Jongwoo Park