Synthesis, characterization and charge storage properties of π-biindolo[2,3-b]quinoxaline for solution-processing organic transistor memory
Synthesis, characterization and charge storage properties of π-biindolo[2,3-b]quinoxaline for solution-processing organic transistor memory
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用于溶液处理有机晶体管存储器的β-双吲哚并[2,3-b]喹喔啉的合成、表征和电荷存储特性
DOI：
10.1016/j.dyepig.2018.07.011
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发表时间：
2019-08
影响因子：
4.5
通讯作者：
Wei Huang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jianfeng Zhao;Hairong Li;Huanqun Li;Qiang Zhao;Haifeng Ling;Jiewei Li;Jinyi Lin;Linghai Xie;Zongqiong Lin;Mingdong Yi;Wei Huang
采用CuI催化的C-N Ullmann偶联方法合成了一种新型的不对称联吲哚并[2，3-B]喹喔啉衍生物（IQIQ），并对其结构进行了表征。为了比较，构造了两个溶液处理有机晶体管存储器件（A和B）。在具有IQIQ的器件A中，大存储窗口（48 V）但弱开/关电流比（104 s时为101）的参数表明，由匹配的HOMO能级决定的良好的空穴捕获能力，但IQIQ的耐久性较弱。同时，PS掺杂IQIQ的器件B不仅表现出类似的大存储窗口，而且明显改善了IQIQ的空穴耐受性，这是由掺杂材料本身作为双功能隧穿浮栅层决定的。
A novel asymmetrical biindolo[2,3-b]quinoxaline derivative (IQIQ) was preparedviathe CuI catalysed C-N Ullmann coupling method and fully characterized. For comparison, two solution-processing organic transistor memory devices (A and B) were constructed. In device A withIQIQ, the parameters of large memory window (48 V) but weak on/off current ratio (∼101at 104s) indicated the good hole trapping ability determined by the matched HOMO level but weak endurance property ofIQIQ. Meanwhile, device B with PS blendedIQIQpresented not only similar large memory window but also apparently improved the hole endurance property ofIQIQdetermined by the blending material which intrinsically acted as the bifunctional tunneling:floating gate layer.
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Yu Chen;Bin Zhang;Gang Liu;Xiaodong Zhuang;E. Kang