Nonvolatile multilevel data storage memory device from controlled ambipolar charge trapping mechanism.
Nonvolatile multilevel data storage memory device from controlled ambipolar charge trapping mechanism.
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DOI：
10.1038/srep02319
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发表时间：
2013
影响因子：
4.6
通讯作者：
Roy VA
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhou Y;Han ST;Sonar P;Roy VA
存储多位信息的能力是存储器技术中最重要的挑战之一。固有地具有传输电子和空穴的能力的双极性聚合物作为半导体层为电荷俘获层提供了有效地俘获电子和空穴的机会。在这里，我们利用双极电荷捕获机制的现象，实现了大的存储窗口和不同的多级数据存储。柔性存储器件具有五个明确的数据电平，具有良好的耐久性和保持性能，在印刷电子领域具有潜在的应用前景。
The capability of storing multi-bit information is one of the most important challenges in memory technologies. An ambipolar polymer which intrinsically has the ability to transport electrons and holes as a semiconducting layer provides an opportunity for the charge trapping layer to trap both electrons and holes efficiently. Here, we achieved large memory window and distinct multilevel data storage by utilizing the phenomena of ambipolar charge trapping mechanism. As fabricated flexible memory devices display five well-defined data levels with good endurance and retention properties showing potential application in printed electronics.
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