Investigation of high hole mobility In0.41Ga0.59Sb/Al0.91Ga0.09Sb quantum well structures grown by molecular beam epitaxy
Investigation of high hole mobility In0.41Ga0.59Sb/Al0.91Ga0.09Sb quantum well structures grown by molecular beam epitaxy
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分子束外延生长的高空穴迁移率In0.41Ga0.59Sb/Al0.91Ga0.09Sb量子阱结构的研究
DOI：
10.1063/1.4865091
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发表时间：
2014-02
影响因子：
4
通讯作者：
Niu, Zhi-Chuan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Guo-Wei;Xu, Ying-Qiang;Ren, Zheng-Wei;Niu, Zhi-Chuan
采用分子束外延技术生长了调制掺杂的In0.41Ga0.59Sb/Al0.91Ga0.09Sb量子阱结构。截面透射电子显微镜和原子力显微镜的研究表明，高结晶质量和光滑的表面形态。X射线衍射研究证实，1.94%的压缩应变在In0.41Ga0.59Sb通道内。在不同的掺杂浓度下，获得了高的室温空穴迁移率和高的面密度，分别为1000 cm 2/Vs和0.877 × 1012/cm 2，以及965 cm 2/Vs和1.112 × 1012/cm 2。随温度变化的霍尔测量表明，在不同的温度范围内的空穴迁移率的不同的散射机制。在300 ~ 77 K温度范围内，片层孔密度基本保持不变.该研究显示了In0.41Ga0.59Sb/Al0.91Ga0.09Sb量子阱在高空穴迁移率器件应用中的巨大潜力。
Modulation-doped In0.41Ga0.59Sb/Al0.91Ga0.09Sb quantum-well (QW) structures were grown by molecular beam epitaxy. Cross-sectional transmission electron microscopy and atomic force microscopy studies show high crystalline quality and smooth surface morphology. X-ray diffraction investigations confirm 1.94% compressive strain within In0.41Ga0.59Sb channel. High room temperature hole mobility with high sheet density of 1000 cm2/Vs, 0.877 × 1012/cm2, and 965 cm2/Vs, 1.112 × 1012/cm2 were obtained with different doping concentrations. Temperature dependent Hall measurements show different scattering mechanisms on hole mobility at different temperature range. The sheet hole density keeps almost constantly from 300 K to 77 K. This study shows great potential of In0.41Ga0.59Sb/Al0.91Ga0.09Sb QW for high-hole-mobility device applications.
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