Spin accumulation created electrically in an n-Ge channel using Schottky tunnel contacts
Spin accumulation created electrically in an n-Ge channel using Schottky tunnel contacts
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使用肖特基隧道接触在 n-Ge 通道中以电方式产生自旋积累
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et.al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Baba;Y.Ando;et.al.
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影响因子：
4
作者：
Nishimura, Tomonori;Kita, Koji;Toriumi, Akira
通讯作者：
Toriumi, Akira
DOI：
10.1117/12.860150
发表时间：
2010
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
S. Dash;S. Sharma;J. Le Breton;R. Jansen
通讯作者：
R. Jansen
影响因子：
2.3
作者：
Nishimura, Tomonori;Kita, Koji;Toriumi, Akira
通讯作者：
Toriumi, Akira
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
ECS trans
影响因子：
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作者：
T. Nakayama;S. Sasaki;Y. Asayama
通讯作者：
Y. Asayama
使用原子控制异质结的源漏工程用于下一代 SiGe 晶体管应用
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
Japanease Journal of Applied Physics
影响因子：
--
作者：
K.Hamaya;Y.Ando;et al.
通讯作者：
et al.