Source-Drain Engineering using Atomically Controlled Heterojunctions for Next-Generation SiGe Transistor Applications
Source-Drain Engineering using Atomically Controlled Heterojunctions for Next-Generation SiGe Transistor Applications
复制标题
使用原子控制异质结的源漏工程用于下一代 SiGe 晶体管应用
DOI：
--
复制
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K.Hamaya;Y.Ando;et al.
登录
查看更多内容
影响因子：
4
作者：
Nishimura, Tomonori;Kita, Koji;Toriumi, Akira
通讯作者：
Toriumi, Akira
铁硅合金中的自旋密度分布
DOI：
10.1088/0305-4608/2/2/026
发表时间：
1972
期刊：
Journal of Physics F: Metal Physics
影响因子：
--
作者：
J. Moss;P. Brown
通讯作者：
P. Brown
外延 Fe3Si/GaAs(001) 混合结构的结构和磁性能
影响因子：
1.4
作者：
J. Herfort;H. Schönherr;K. Friedland;K. Ploog
通讯作者：
K. Ploog
影响因子：
4
作者：
Sugahara, S;Tanaka, M
通讯作者：
Tanaka, M
影响因子：
2.3
作者：
Nishimura, Tomonori;Kita, Koji;Toriumi, Akira
通讯作者：
Toriumi, Akira