GaN/AlGaN 2 次元電子ガスの低磁場スピン分裂
GaN/AlGaN 2 次元電子ガスの低磁場スピン分裂
复制标题
GaN/AlGaN二维电子气的低场自旋分裂
DOI：
--
复制
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
今中康貴
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
山田省二;藤元章;八木修一;成井啓修;山口栄一;今中康貴
登录
查看更多内容
Au:Ga 合金团簇可增强 Al 与 P 型 GaN 的接触
DOI：
10.1109/rapid.2018.8508914
发表时间：
2018
期刊：
2018 IEEE Research and Applications of Photonics In Defense Conference (RAPID)
影响因子：
--
作者：
A. Klump;F. Kaess;B. Sarkar;R. Kirste;R. Collazo;P. Reddy;S. Mita;Z. Sitar;M. H. Breckenridge;E. Kohn
通讯作者：
E. Kohn
化学气相清洁 p 型 GaN 表面上 Au/Pd 触点的化学、电学和结构特性
DOI：
10.1557/proc-693-i11.40.1
发表时间：
2001
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
--
作者：
P. Hartlieb;A. Roskowski;B. Rodriguez;R. Nemanich;R. Davis
通讯作者：
R. Davis
影响因子：
3.1
作者：
Hahn, Herwig;Reuters, Benjamin;Vescan, Andrei
通讯作者：
Vescan, Andrei
具有 InGaN 触点和 100 mA/mm 导通电流的 GaN/AlN 肖特基栅极 p 沟道 HFET
DOI：
10.1109/iedm19573.2019.8993532
发表时间：
2019
期刊：
IEDM Proceedings 2019
影响因子：
--
作者：
Bader, S. J.;Chaudhuri, R.;Hickman, A.;Nomoto, K.;Bharadwaj, S.;Then, H. W.;Xing, H. G.;Jena, D.
通讯作者：
Jena, D.
外延 GaN 表面上自形成的纳米网络网状 Pt 层
影响因子：
6
作者：
C. Y. Liu;Chia;Yu;P. Chen
通讯作者：
P. Chen