Impact of Silicon Substrate with Low Resistivity on Vertical Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs
Impact of Silicon Substrate with Low Resistivity on Vertical Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs
复制标题
低电阻率硅衬底对 AlGaN/GaN HEMT 垂直漏电流的影响
DOI：
10.3390/app9112373
复制
发表时间：
2019-06
影响因子：
2.7
通讯作者：
Shen Bo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Song Chunyan;Yang Xuelin;Ji Panfeng;Tang Jun;Wu Shan;Xu Yue;Imran Ali;Wang Maojun;Yang Zhijian;Xu Fujun;Wang Xinqiang;Ge Weikun;Shen Bo
研究了低阻衬底对AlGaN/GaN-on-Si外延层垂直漏电流的影响。AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）生长在p型和n型Si衬底上，具有低电阻率，
The role of low-resistivity substrate on vertical leakage current (VLC) of AlGaN/GaN-on-Si epitaxial layers has been investigated. AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) grown on both p-type and n-type Si substrates with low resistivity are
登录
查看更多内容
DOI：
10.1109/iedm.2010.5703400
发表时间：
2010-12
期刊：
2010 International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
H. Umeda;Asamira Suzuki;Y. Anda;M. Ishida;T. Ueda;Tsuyoshi Tanaka;D. Ueda
通讯作者：
H. Umeda;Asamira Suzuki;Y. Anda;M. Ishida;T. Ueda;Tsuyoshi Tanaka;D. Ueda
用于增强绿色 LED 性能的 InGaN/GaN 超晶格：探索 V 坑的作用
DOI：
10.3390/nano8070450
发表时间：
2018-06-21
期刊：
Nanomaterials (Basel, Switzerland)
影响因子：
--
作者：
Liu M;Zhao J;Zhou S;Gao Y;Hu J;Liu X;Ding X
通讯作者：
Ding X
影响因子：
3.1
作者：
N. Remesh;N. Mohan;Sandeep Kumar;Shreesha Prabhu;I. Guiney;C. Humphreys;S. Raghavan;R. Muralidharan;D. Nath
通讯作者：
N. Remesh;N. Mohan;Sandeep Kumar;Shreesha Prabhu;I. Guiney;C. Humphreys;S. Raghavan;R. Muralidharan;D. Nath
影响因子：
2.7
作者：
Kwak, Hyeon-Tak;Chang, Seung-Bo;Kim, Hyun-Seok
通讯作者：
Kim, Hyun-Seok
影响因子：
3.1
作者：
Chunyan Song;Xuelin Yang;P. Ji;Tang Jun;Anqi Hu;Yuxia Feng;Wei Lin;W. Ge;Zhijian Yang;F. Xu;B. Shen
通讯作者：
Chunyan Song;Xuelin Yang;P. Ji;Tang Jun;Anqi Hu;Yuxia Feng;Wei Lin;W. Ge;Zhijian Yang;F. Xu;B. Shen